品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
输入电容:113pF@10V
连续漏极电流:700mA€600mA
导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
输入电容:109pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:1个N沟道
导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
输入电容:109pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:1个N沟道
导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6332C
阈值电压:1.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道+1个P沟道
输入电容:113pF@10V
导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V
功率:300mW
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:700mA€600mA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: