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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：51598}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD5904T1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：600mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：75mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：51598}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD5904T1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：600mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：75mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS5443T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：16346，"08+"：15000，"10+"：315000，"11+"：189000，"14+"：3000，"16+"：27000，"17+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS5443T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：600mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：5994}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS5443T1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：600mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：16346，"08+"：15000，"10+"：315000，"11+"：189000，"14+"：3000，"16+"：27000，"17+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS5443T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：600mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS5443T1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD5904T1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：600mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：75mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：436，"9999"：99}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD5903T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：600mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：155mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"06+"：16346，"08+"：15000，"10+"：315000，"11+"：189000，"14+"：3000，"16+"：27000，"17+"：3000}
规格型号(MPN)：NTHS5443T1G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：65mΩ@3.6A，4.5V
功率：1.3W
栅极电荷：12nC@4.5V
类型：P沟道
阈值电压：600mV@250µA
连续漏极电流：3.6A
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS5443T1G
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：600mV@250µA
连续漏极电流：3.6A
漏源电压：20V
导通电阻：65mΩ@3.6A，4.5V
功率：1.3W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：51598}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD5904T1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：75mΩ@3.1A，4.5V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：3.1A
功率：1.1W
阈值电压：600mV@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：51598}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD5904T1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：600mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：75mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：436，"9999"：99}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD5903T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：600mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：155mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：5994}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS5443T1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：600mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：436，"9999"：99}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD5903T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：600mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：155mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
