采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ661PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ661PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ661PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ661PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6670}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ661PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：75000，"MI+"：25000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ661PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：75000，"MI+"：25000}
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规格型号(MPN)：FDZ661PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@2A，4.5V
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类型：P沟道
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工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
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连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@2A，4.5V
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输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：140mΩ@2A，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：2.6A
功率：1.3W
类型：P沟道
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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