品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY300NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":2376,"15+":1974,"16+":1480,"18+":88348,"19+":206928}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS3A65PZT5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:155mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:44pF@10V
连续漏极电流:281mA
类型:P沟道
导通电阻:1.3Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY300NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":8000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS3A91PZT5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:121mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@15V
连续漏极电流:223mA
类型:P沟道
导通电阻:1.6Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":206230,"16+":111000,"19+":34610}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS3A91PZT5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:121mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@15V
连续漏极电流:223mA
类型:P沟道
导通电阻:1.6Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":2376,"15+":1974,"16+":1480,"18+":88348,"19+":206928}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS3A65PZT5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:155mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:44pF@10V
连续漏极电流:281mA
类型:P沟道
导通电阻:1.3Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY300NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY300NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":8000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS3A91PZT5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:121mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@15V
连续漏极电流:223mA
类型:P沟道
导通电阻:1.6Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY300NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY300NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS3A65PZT5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:155mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:44pF@10V
连续漏极电流:281mA
类型:P沟道
导通电阻:1.3Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY301NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY300NZ
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:1.3V@250µA
输入电容:60pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:1.1nC@4.5V
功率:625mW
漏源电压:20V
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
连续漏极电流:600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS3A65PZT5G
包装方式:卷带(TR)
输入电容:44pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:155mW
连续漏极电流:281mA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:1.3Ω@200mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":2376,"15+":1974,"16+":1480,"18+":88348,"19+":206928}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS3A65PZT5G
包装方式:卷带(TR)
输入电容:44pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:155mW
连续漏极电流:281mA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:1.3Ω@200mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY300NZ
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:1.3V@250µA
输入电容:60pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:1.1nC@4.5V
功率:625mW
漏源电压:20V
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
连续漏极电流:600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY300NZ
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:1.3V@250µA
输入电容:60pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:1.1nC@4.5V
功率:625mW
漏源电压:20V
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
连续漏极电流:600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS3A91PZT5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:121mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@15V
连续漏极电流:223mA
类型:P沟道
导通电阻:1.6Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS3A91PZT5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:121mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@15V
连续漏极电流:223mA
类型:P沟道
导通电阻:1.6Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY300NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY300NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY300NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY300NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY300NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY301NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY301NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:446mW
阈值电压:1.3V@250μA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:2个N沟道
导通电阻:700mΩ@4.5V,600mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY300NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY300NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: