品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:600mW
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:7.7nC @ 4.5V
输入电容:405pF @ 10V
连续漏极电流:2.6A
类型:2 个 P 沟道(双)
导通电阻:142 毫欧 @ 2.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
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功率:600mW
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:7.7nC @ 4.5V
输入电容:405pF @ 10V
连续漏极电流:2.6A
类型:2 个 P 沟道(双)
导通电阻:142 毫欧 @ 2.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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栅极电荷:7.7nC @ 4.5V
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连续漏极电流:2.6A
类型:2 个 P 沟道(双)
导通电阻:142 毫欧 @ 2.3A,4.5V
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栅极电荷:7.7nC @ 4.5V
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类型:2 个 P 沟道(双)
导通电阻:142 毫欧 @ 2.3A,4.5V
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功率:600mW
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栅极电荷:7.7nC @ 4.5V
连续漏极电流:2.6A
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类型:2 个 P 沟道(双)
导通电阻:142 毫欧 @ 2.3A,4.5V
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输入电容:405pF @ 10V
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