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    漏源电压
    20V
    栅极电荷
    品牌: ON SEMI
    漏源电压: 20V
    栅极电荷: 7.7nC @ 4.5V
    当前匹配商品:7
    商品信息
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    onsemi Mosfet场效应管 FDME1023PZT 起订数2000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1023PZT 起订数2000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:600mW

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:7.7nC @ 4.5V

    输入电容:405pF @ 10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:2 个 P 沟道(双)

    导通电阻:142 毫欧 @ 2.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1023PZT 起订数2000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1023PZT 起订数2000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:600mW

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:7.7nC @ 4.5V

    输入电容:405pF @ 10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:2 个 P 沟道(双)

    导通电阻:142 毫欧 @ 2.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1023PZT 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1023PZT 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:600mW

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:7.7nC @ 4.5V

    输入电容:405pF @ 10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:2 个 P 沟道(双)

    导通电阻:142 毫欧 @ 2.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1023PZT 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1023PZT 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:600mW

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:7.7nC @ 4.5V

    输入电容:405pF @ 10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:2 个 P 沟道(双)

    导通电阻:142 毫欧 @ 2.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1023PZT 起订数100个
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1023PZT 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:600mW

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:7.7nC @ 4.5V

    输入电容:405pF @ 10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:2 个 P 沟道(双)

    导通电阻:142 毫欧 @ 2.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1023PZT 起订数10个
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1023PZT 起订数10个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:600mW

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:7.7nC @ 4.5V

    输入电容:405pF @ 10V

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    类型:2 个 P 沟道(双)

    导通电阻:142 毫欧 @ 2.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDME1023PZT 起订数1000个
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:600mW

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:7.7nC @ 4.5V

    连续漏极电流:2.6A

    漏源电压:20V

    类型:2 个 P 沟道(双)

    导通电阻:142 毫欧 @ 2.3A,4.5V

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    输入电容:405pF @ 10V

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