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    品牌
    漏源电压
    20V
    栅极电荷
    品牌: ON SEMI
    漏源电压: 20V
    栅极电荷: 2.2nC@4.5V
    当前匹配商品:2
    商品信息
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    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4152PT1G 起订数12000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4152PT1G 起订数12000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:272mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:2.2nC@4.5V

    输入电容:155pF@20V

    连续漏极电流:880mA

    类型:2个P沟道

    导通电阻:260mΩ@4.5V,880mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4152PT1G 起订数6000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4152PT1G 起订数6000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:272mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:2.2nC@4.5V

    输入电容:155pF@20V

    连续漏极电流:880mA

    类型:2个P沟道

    导通电阻:260mΩ@4.5V,880mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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