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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA510PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@7.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@7.8A，4.5V
漏源电压：20V
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类型：P沟道
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功率：2.4W
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栅极电荷：27nC@4.5V
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连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@7.8A，4.5V
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规格型号(MPN)：FDMA510PZ
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功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@7.8A，4.5V
漏源电压：20V
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功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：27nC@4.5V
输入电容：1.48nF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：30mΩ@4.5V，7.8A
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功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：27nC@4.5V
输入电容：1.48nF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：30mΩ@4.5V，7.8A
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功率：2.4W
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栅极电荷：27nC@4.5V
输入电容：1.48nF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：30mΩ@4.5V，7.8A
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功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@7.8A，4.5V
漏源电压：20V
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功率：2.4W
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连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
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连续漏极电流：7.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：30mΩ@4.5V，7.8A
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类型：1个P沟道
导通电阻：30mΩ@4.5V，7.8A
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工作温度：-55℃~150℃
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栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@7.8A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMA510PZ
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包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：27nC@4.5V
功率：2.4W
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工作温度：-55℃~+150℃
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输入电容：1.48nF@10V
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
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ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@7.8A，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
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类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@7.8A，4.5V
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