采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN342P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：588000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@20V
连续漏极电流：1.37A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：750，"09+"：18000，"10+"：30000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3441BT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@20V
连续漏极电流：1.37A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@20V
连续漏极电流：1.37A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@20V
连续漏极电流：1.37A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@20V
连续漏极电流：1.37A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@20V
连续漏极电流：1.37A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@20V
连续漏极电流：1.37A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@20V
连续漏极电流：1.37A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@20V
连续漏极电流：1.37A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@20V
连续漏极电流：1.37A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@20V
连续漏极电流：1.37A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@20V
连续漏极电流：1.37A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN342P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@20V
连续漏极电流：1.37A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@20V
连续漏极电流：1.37A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@20V
连续漏极电流：1.37A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@20V
连续漏极电流：1.37A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN342P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN342P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN342P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN342P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN342P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN342P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@20V
连续漏极电流：1.37A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@20V
连续漏极电流：1.37A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN342P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@20V
连续漏极电流：1.37A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN342P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
