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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC637AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1125pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC637AN
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功率：1.6W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1125pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
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漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDC637AN
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功率：1.6W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1125pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
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漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDC637AN
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功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
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漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4N01R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：1668，"10+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4N01R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
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类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：FDC637AN
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功率：1.6W
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类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：FDC637AN
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功率：1.6W
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类型：N沟道
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功率：1.6W
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：FDC637AN
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDC637AN
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
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类型：N沟道
输入电容：1125pF@10V
连续漏极电流：6.2A
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功率：1.6W
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDC637AN
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
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类型：N沟道
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连续漏极电流：6.2A
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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漏源电压：20V
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功率：1.6W
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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功率：1.6W
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类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
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功率：1.6W
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栅极电荷：16nC@4.5V
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输入电容：1125pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
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导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：1668，"10+"：2500}
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规格型号(MPN)：NTMS4N01R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，4.5V
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