品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":5468,"21+":66398}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTND31015NZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:125mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12.3pF@15V
连续漏极电流:200mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6420C
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:324pF@10V
连续漏极电流:3A€2.2A
类型:N和P沟道
导通电阻:70mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVA4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@5V
连续漏极电流:238mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@10mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":25455,"20+":1633,"23+":24000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN335N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@10V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1028NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA910PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2805pF@10V
连续漏极电流:9.4A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS332P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@4.5V,1.1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:301mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@5V
连续漏极电流:760mA
类型:P沟道
导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC3J018NUZTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:4.7mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4152PT2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@20V
连续漏极电流:880mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:260mΩ@880mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6306P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:114pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:420mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR3C21NZT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1540pF@16V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1024NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:54mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC604P
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.6W(Ta)
阈值电压:1.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1926 pF @ 10 V
连续漏极电流:5.5A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:33 毫欧 @ 5.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTK3043NT5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11pF@10V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4501NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV305N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:109pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@5V
连续漏极电流:238mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@10mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":78000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTR01P02LT1G
功率:400mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@5V
连续漏极电流:1.3A
类型:P沟道
导通电阻:220mΩ@750mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":6102500,"18+":119008}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS3190NZT5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:120mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15.8pF@15V
连续漏极电流:224mA
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":53580,"23+":37565,"24+":87000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS3164NZT5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:155mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:24pF@10V
连续漏极电流:361mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:301mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@5V
连续漏极电流:760mA
类型:P沟道
导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6321-TL-E
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:83mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTK3134NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@890mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA507PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:42nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2015pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:P沟道
导通电阻:24mΩ@7.8A,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@5V
连续漏极电流:238mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@10mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6335N
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:113pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6310P
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:337pF@10V
连续漏极电流:2.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:125mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MVSF2N02ELT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@5V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: