采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：3000，"11+"：1571}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3441PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@15V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTRV4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1H
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1H
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTRV4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1902
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
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输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
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输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1902
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1H
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
