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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
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规格型号(MPN)：FDN338P
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功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
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规格型号(MPN)：FDN338P
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功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
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规格型号(MPN)：FDN338P
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功率：500mW
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规格型号(MPN)：FDN338P
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功率：500mW
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栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDN338P
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功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGD3133PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：145mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDN338P
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功率：500mW
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输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
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规格型号(MPN)：FDN338P
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功率：500mW
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输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDN338P
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功率：500mW
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类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
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功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
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连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
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生产批次：{"10+"：9000}
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规格型号(MPN)：NTGD3133PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：145mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：FDN338P
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功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
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连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：FDN338P
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功率：500mW
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连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
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输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
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连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
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输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
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输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGD3133PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW
阈值电压：1.4V@250µA
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输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：145mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGD3133PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW
阈值电压：1.4V@250µA
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输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：145mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
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输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
阈值电压：1.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
功率：500mW
工作温度：-55℃~+150℃
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连续漏极电流：1.6A
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
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输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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