采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6310P
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：337pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：125mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4P02FT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：2741}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3443T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：565pF@5V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：750，"09+"：18000，"10+"：30000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3441BT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：30000，"06+"：2633，"07+"：1939，"08+"：49666，"09+"：235413，"10+"：105000，"11+"：30000，"13+"：30000，"14+"：54000，"MI+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4P02FT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：606，"22+"：21000，"23+"：57000，"24+"：358}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4P02FT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3443T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：565pF@5V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6310P
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：337pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：125mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3443T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：565pF@5V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：30000，"06+"：2633，"07+"：1939，"08+"：49666，"09+"：235413，"10+"：105000，"11+"：30000，"13+"：30000，"14+"：54000，"MI+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4P02FT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3443T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：565pF@5V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3443T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：565pF@5V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6310P
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：337pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：125mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6310P
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：337pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：125mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJD3181PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3443T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：565pF@5V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4P02FT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3192PZTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：86mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3443T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：565pF@5V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6310P
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：337pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：125mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6310P
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：337pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：125mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6310P
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：337pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：125mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：54000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJD3181PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6310P
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：337pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：125mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：35000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3192PZTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：86mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJD3181PZTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJD3181PZTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6310P
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：337pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：125mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6310P
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：337pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：125mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：606，"22+"：21000，"23+"：57000，"24+"：358}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4P02FT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
