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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：78000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR01P02LT1G
功率：400mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@5V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：220mΩ@750mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS331N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：162pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：5.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@5V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：220mΩ@750mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS331N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：162pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN336P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：200mΩ@4.5V，1.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN336P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：200mΩ@4.5V，1.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS331N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：162pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS331N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：162pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：5.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@5V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：220mΩ@750mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02LT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：5.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@5V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：220mΩ@750mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS331N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：162pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS331N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：162pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS331N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：162pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS331N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：162pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2218
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS331N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：162pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS331N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：162pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS331N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：162pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS331N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：162pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：78000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR01P02LT1G
功率：400mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@5V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：220mΩ@750mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02LT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：5.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@5V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：220mΩ@750mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUD3A260PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：200mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS331N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：162pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：5.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@5V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：220mΩ@750mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02LT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@5V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：220mΩ@750mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02LT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@5V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：220mΩ@750mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUD3A260PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：200mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR01P02LT1G
功率：400mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@5V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：220mΩ@750mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR01P02LT1G
功率：400mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@5V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：220mΩ@750mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02LT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@5V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：220mΩ@750mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@5V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：220mΩ@750mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
