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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTE4153NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：1.82nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@16V
连续漏极电流：915mA
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：300mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：1.82nC@4.5V
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输入电容：110pF@16V
连续漏极电流：915mA
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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功率：300mW
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输入电容：110pF@16V
连续漏极电流：915mA
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
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功率：300mW
阈值电压：1.1V@250µA
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输入电容：110pF@16V
连续漏极电流：915mA
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
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功率：300mW
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输入电容：110pF@16V
连续漏极电流：915mA
类型：1个N沟道
导通电阻：230mΩ@4.5V，600mA
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功率：300mW
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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输入电容：110pF@16V
连续漏极电流：915mA
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
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功率：300mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.82nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@16V
连续漏极电流：915mA
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTE4153NT1G
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功率：300mW
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连续漏极电流：915mA
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
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功率：300mW
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类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
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ECCN：EAR99
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输入电容：110pF@16V
连续漏极电流：915mA
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
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类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
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功率：300mW
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类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
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功率：300mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：1.82nC@4.5V
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类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
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输入电容：110pF@16V
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类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：NTA4153NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.1V@250µA
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输入电容：110pF@16V
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类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4153NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：1.82nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@16V
连续漏极电流：915mA
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
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功率：300mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：1.82nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@16V
连续漏极电流：915mA
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
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输入电容：110pF@16V
连续漏极电流：915mA
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVE4153NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@16V
连续漏极电流：915mA
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
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包装清单：商品主体 * 1
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