采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3C21NZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1540pF@16V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3C21NZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1540pF@16V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3A052PZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1243pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3C21NZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1540pF@16V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3C21NZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1540pF@16V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3C21NZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1540pF@16V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3A052PZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1243pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3A052PZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1243pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3A052PZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1243pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3C21NZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1540pF@16V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：11.9nC@4.5V
输入电容：1.243nF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：47mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA6023PZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：885pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：60mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA6023PZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：885pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：60mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3A052PZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1243pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS5443T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3C21NZT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1540pF@16V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3A052PZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1243pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3A052PZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1243pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3C21NZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1540pF@16V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3C21NZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1540pF@16V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：16346，"08+"：15000，"10+"：315000，"11+"：189000，"14+"：3000，"16+"：27000，"17+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS5443T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：600mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3A052PZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1243pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3A052PZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1243pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3A052PZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1243pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3C21NZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1540pF@16V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3C21NZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1540pF@16V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3C21NZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1540pF@16V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA6023PZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：885pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：60mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3C21NZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1540pF@16V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3C21NZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1540pF@16V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
