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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD4152PT2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：272mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@20V
连续漏极电流：880mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：260mΩ@880mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：272mW
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@20V
连续漏极电流：880mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：260mΩ@880mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTJD4152PT1G
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导通电阻：260mΩ@880mA，4.5V
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导通电阻：260mΩ@880mA，4.5V
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功率：272mW
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连续漏极电流：880mA
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导通电阻：260mΩ@880mA，4.5V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：272mW
阈值电压：1.2V@250µA
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输入电容：155pF@20V
连续漏极电流：880mA
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导通电阻：260mΩ@880mA，4.5V
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栅极电荷：2.2nC@4.5V
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导通电阻：260mΩ@4.5V，880mA
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输入电容：155pF@20V
连续漏极电流：880mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：260mΩ@880mA，4.5V
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功率：272mW
阈值电压：1.2V@250µA
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输入电容：155pF@20V
连续漏极电流：880mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：260mΩ@880mA，4.5V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：272mW
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@20V
连续漏极电流：880mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：260mΩ@880mA，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTJD4152PT2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：272mW
阈值电压：1.2V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@20V
连续漏极电流：880mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：260mΩ@880mA，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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类型：2个P沟道（双）
导通电阻：260mΩ@880mA，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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功率：272mW
阈值电压：1.2V@250µA
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输入电容：155pF@20V
连续漏极电流：880mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：260mΩ@880mA，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTJD4152PT1G
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功率：272mW
阈值电压：1.2V@250µA
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类型：2个P沟道（双）
导通电阻：260mΩ@880mA，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：NTJD4152PT2G
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功率：272mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：155pF@20V
连续漏极电流：880mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：260mΩ@880mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD4152PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：272mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@20V
连续漏极电流：880mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：260mΩ@880mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD4152PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：272mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@20V
连续漏极电流：880mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：260mΩ@880mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD4152PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：272mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：880mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：260mΩ@880mA，4.5V
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