品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2213
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.1W(Tj)
阈值电压:1.2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300 pF @ 10 V
连续漏极电流:2.2A(Tj)
类型:P 通道
导通电阻:155 毫欧 @ 2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2213
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.1W(Tj)
阈值电压:1.2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300 pF @ 10 V
连续漏极电流:2.2A(Tj)
类型:P 通道
导通电阻:155 毫欧 @ 2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2213
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.1W(Tj)
阈值电压:1.2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300 pF @ 10 V
连续漏极电流:2.2A(Tj)
类型:P 通道
导通电阻:155 毫欧 @ 2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: