品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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生产批次:{"18+":20,"23+":1900}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
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规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):FDY1002PZ
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功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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销售单位:个
规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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销售单位:个
规格型号(MPN):FDY1002PZ
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
连续漏极电流:830mA
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
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