采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：2376，"15+"：1974，"16+"：1480，"18+"：88348，"19+"：206928}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTNS3A65PZT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：155mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：44pF@10V
连续漏极电流：281mA
类型：P沟道
导通电阻：1.3Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：2376，"15+"：1974，"16+"：1480，"18+"：88348，"19+"：206928}
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规格型号(MPN)：NTNS3A65PZT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：155mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：44pF@10V
连续漏极电流：281mA
类型：P沟道
导通电阻：1.3Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTNS3A65PZT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：155mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：44pF@10V
连续漏极电流：281mA
类型：P沟道
导通电阻：1.3Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
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功率：155mW
连续漏极电流：281mA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
导通电阻：1.3Ω@200mA，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTNS3A65PZT5G
包装方式：卷带（TR）
输入电容：44pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：155mW
连续漏极电流：281mA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
导通电阻：1.3Ω@200mA，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
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