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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6310P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：700mW
阈值电压：1.5V @ 250µA
栅极电荷：5.2nC @ 4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：337pF @ 10V
连续漏极电流：2.2A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：125 毫欧 @ 2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：800mW
阈值电压：1.3V @ 250µA
栅极电荷：6nC @ 4.5V
输入电容：435pF @ 10V
连续漏极电流：3A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：120 毫欧 @ 3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：600mW
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：7.7nC @ 4.5V
输入电容：405pF @ 10V
连续漏极电流：2.6A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：142 毫欧 @ 2.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：800mW
阈值电压：1.3V @ 250µA
栅极电荷：6nC @ 4.5V
输入电容：435pF @ 10V
连续漏极电流：3A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：120 毫欧 @ 3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：600mW
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：7.7nC @ 4.5V
输入电容：405pF @ 10V
连续漏极电流：2.6A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：142 毫欧 @ 2.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：800mW
阈值电压：1.3V @ 250µA
栅极电荷：6nC @ 4.5V
输入电容：435pF @ 10V
连续漏极电流：3A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：120 毫欧 @ 3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：600mW
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：7.7nC @ 4.5V
输入电容：405pF @ 10V
连续漏极电流：2.6A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：142 毫欧 @ 2.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：600mW
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：7.7nC @ 4.5V
输入电容：405pF @ 10V
连续漏极电流：2.6A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：142 毫欧 @ 2.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：600mW
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：7.7nC @ 4.5V
输入电容：405pF @ 10V
连续漏极电流：2.6A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：142 毫欧 @ 2.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：600mW
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：7.7nC @ 4.5V
输入电容：405pF @ 10V
连续漏极电流：2.6A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：142 毫欧 @ 2.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：2336
规格型号(MPN)：FDC6306P
连续漏极电流：1.9A
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：170 毫欧 @ 1.9A，4.5V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
输入电容：441pF @ 10V
阈值电压：1.5V @ 250µA
漏源电压：20V
类型：2 个 P 沟道（双）
ECCN：EAR99
功率：700mW
栅极电荷：4.2nC @ 4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6306P
连续漏极电流：1.9A
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：170 毫欧 @ 1.9A，4.5V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
输入电容：441pF @ 10V
阈值电压：1.5V @ 250µA
漏源电压：20V
类型：2 个 P 沟道（双）
ECCN：EAR99
功率：700mW
栅极电荷：4.2nC @ 4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：600mW
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：7.7nC @ 4.5V
连续漏极电流：2.6A
漏源电压：20V
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：142 毫欧 @ 2.3A，4.5V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
输入电容：405pF @ 10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
