采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
输入电容：46pF@20V
连续漏极电流：630mA
类型：2个N沟道
导通电阻：375mΩ@4.5V，630mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
输入电容：46pF@20V
连续漏极电流：630mA
类型：2个N沟道
导通电阻：375mΩ@4.5V，630mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
输入电容：46pF@20V
连续漏极电流：630mA
类型：2个N沟道
导通电阻：375mΩ@4.5V，630mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：446mW
阈值电压：1.3V@250μA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：2个N沟道
导通电阻：700mΩ@4.5V，600mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：9nC@4.5V
输入电容：650pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
输入电容：66.5pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，750mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
输入电容：66.5pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，750mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
输入电容：66.5pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，750mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
输入电容：66.5pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，750mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
输入电容：66.5pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，750mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：9nC@4.5V
输入电容：650pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
输入电容：66.5pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，750mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
输入电容：66.5pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，750mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：446mW
阈值电压：1.3V@250μA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：2个N沟道
导通电阻：700mΩ@4.5V，600mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
输入电容：66.5pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，750mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
输入电容：46pF@20V
连续漏极电流：630mA
类型：2个N沟道
导通电阻：375mΩ@4.5V，630mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME1024NZT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5V，3.4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME1024NZT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5V，3.4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME1024NZT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5V，3.4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME1024NZT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5V，3.4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6335N
阈值电压：1.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：700mA
输入电容：113pF@10V
栅极电荷：1.4nC@4.5V
类型：2个N沟道
导通电阻：300mΩ@4.5V，700mA
功率：300mW
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME1024NZT
功率：600mW
导通电阻：66mΩ@4.5V，3.4A
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：4.2nC@4.5V
类型：2个N沟道
连续漏极电流：3.8A
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
输入电容：300pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME1024NZT
功率：600mW
导通电阻：66mΩ@4.5V，3.4A
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：4.2nC@4.5V
类型：2个N沟道
连续漏极电流：3.8A
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
输入电容：300pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：400mΩ@4.5V，750mA
阈值电压：1.5V@250μA
功率：300mW
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：20V
输入电容：66.5pF@10V
连续漏极电流：700mA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：700mΩ@4.5V，600mA
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：60pF@10V
阈值电压：1.3V@250μA
功率：446mW
漏源电压：20V
连续漏极电流：600mA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：400mΩ@4.5V，750mA
阈值电压：1.5V@250μA
功率：300mW
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：20V
输入电容：66.5pF@10V
连续漏极电流：700mA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：400mΩ@4.5V，750mA
阈值电压：1.5V@250μA
功率：300mW
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：20V
输入电容：66.5pF@10V
连续漏极电流：700mA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
