采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：272mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：2.2nC@4.5V
输入电容：155pF@20V
连续漏极电流：880mA
类型：2个P沟道
导通电阻：260mΩ@4.5V，880mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：272mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：2.2nC@4.5V
输入电容：155pF@20V
连续漏极电流：880mA
类型：2个P沟道
导通电阻：260mΩ@4.5V，880mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJD4152PT1G
功率：272mW
阈值电压：1.2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：880mA
类型：2个P沟道
导通电阻：260mΩ@4.5V，880mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJD4152PT1G
功率：272mW
阈值电压：1.2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：880mA
类型：2个P沟道
导通电阻：260mΩ@4.5V，880mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVJD4152PT1G
功率：272mW
阈值电压：1.2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：880mA
类型：2个P沟道
导通电阻：260mΩ@4.5V，880mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVJD4152PT1G
功率：272mW
阈值电压：1.2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：880mA
类型：2个P沟道
导通电阻：260mΩ@4.5V，880mA
漏源电压：20V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVJD4152PT1G
功率：272mW
阈值电压：1.2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：880mA
类型：2个P沟道
导通电阻：260mΩ@4.5V，880mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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