品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN335N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@10V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS332P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@4.5V,1.1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN335N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@10V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS331N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:162pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS332P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@4.5V,1.1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN304PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1310pF@10V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN338P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:451pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:115mΩ@4.5V,1.6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN340P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:779pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN302P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:882pF@10V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN342P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":2741}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3443T1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:565pF@5V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@4.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN308P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:341pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3441T1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@5V
连续漏极电流:1.65A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3441T1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@5V
连续漏极电流:1.65A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":2513,"05+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3441T1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@5V
连续漏极电流:1.65A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDZ1323NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2055pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:13mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN327N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:423pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@4.5V,2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS331N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:162pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN340P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:779pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN336P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:200mΩ@4.5V,1.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN304P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1312pF@10V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN336P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:200mΩ@4.5V,1.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN304P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1312pF@10V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN338P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:451pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:115mΩ@4.5V,1.6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS331N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:162pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS331N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:162pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN338P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:451pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:115mΩ@4.5V,1.6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS331N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:162pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN327N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:423pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@4.5V,2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS331N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:162pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: