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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：2201，"08+"：6490，"10+"：6061}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD2C02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：5.2A€3.4A
类型：N和P沟道
导通电阻：43mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMDF3N02HDR2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@16V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD2C02R2SG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：5.2A€3.4A
类型：N和P沟道
导通电阻：43mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：2201，"08+"：6490，"10+"：6061}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD2C02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：5.2A€3.4A
类型：N和P沟道
导通电阻：43mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：312，"08+"：13220，"10+"：2480}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMDF3N02HDR2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@16V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：809}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMDF2P02HDR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：588pF@16V
连续漏极电流：3.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：160mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：2201，"08+"：6490，"10+"：6061}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD2C02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：5.2A€3.4A
类型：N和P沟道
导通电阻：43mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：312，"08+"：13220，"10+"：2480}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMDF3N02HDR2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@16V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：312，"08+"：13220，"10+"：2480}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMDF3N02HDR2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@16V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD2C02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：5.2A€3.4A
类型：N和P沟道
导通电阻：43mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMDF3N02HDR2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@16V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD2C02R2SG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：5.2A€3.4A
类型：N和P沟道
导通电阻：43mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"06+"：2201，"08+"：6490，"10+"：6061}
规格型号(MPN)：NTMD2C02R2G
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N和P沟道
导通电阻：43mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
输入电容：1100pF@10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：5.2A€3.4A
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：809}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMDF2P02HDR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：588pF@16V
连续漏极电流：3.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：160mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMDF2P02HDR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：588pF@16V
连续漏极电流：3.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：160mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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