品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":4450,"14+":13030,"17+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1430-TL-H
工作温度:150℃
功率:800mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:128pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":25000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1430-TL-W
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:128pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":30000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1433-TL-W
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":30000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1433-TL-W
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@4.5V
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输入电容:260pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":245000,"16+":340000,"17+":4000,"18+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1433-TL-H
工作温度:150℃
功率:800mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1433-TL-W
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1.3V@1mA
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6660-TL-W
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1.3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:128pF@10V
连续漏极电流:2A€1.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:136mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6660-TL-W
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1.3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:128pF@10V
连续漏极电流:2A€1.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:136mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH3476-TL-H
工作温度:150℃
功率:800mW
栅极电荷:1.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:128pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1433-TL-H
工作温度:150℃
功率:800mW
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6660-TL-H
工作温度:150℃
功率:800mW
包装方式:卷带(TR)
输入电容:128pF@10V
连续漏极电流:2A€1.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:136mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6660-TL-W
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:128pF@10V
连续漏极电流:2A€1.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:136mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":11698,"19+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH5839-TL-W
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:266mΩ@750mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":1688948,"17+":1161}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6660-TL-H
工作温度:150℃
功率:800mW
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:128pF@10V
连续漏极电流:2A€1.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:136mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":7200}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH3476-TL-H
工作温度:150℃
功率:800mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:128pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":245000,"16+":340000,"17+":4000,"18+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1433-TL-H
工作温度:150℃
功率:800mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":36000,"16+":74400}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH3476-TL-W
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:128pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":4450,"14+":13030,"17+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1430-TL-H
工作温度:150℃
功率:800mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:128pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":36000,"16+":74400}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH3476-TL-W
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:128pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1333-TL-H
工作温度:150℃
功率:800mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":25000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1430-TL-W
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:128pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":7200}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH3476-TL-H
工作温度:150℃
功率:800mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:128pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":11698,"19+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH5839-TL-W
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:266mΩ@750mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":1688948,"17+":1161}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6660-TL-H
工作温度:150℃
功率:800mW
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:128pF@10V
连续漏极电流:2A€1.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:136mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6660-TL-W
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:128pF@10V
连续漏极电流:2A€1.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:136mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1333-TL-H
工作温度:150℃
功率:800mW
栅极电荷:3.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH3476-TL-W
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1.3V@1mA
栅极电荷:1.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:128pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1433-TL-W
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1.3V@1mA
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH3476-TL-W
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1.3V@1mA
栅极电荷:1.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:128pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1433-TL-W
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:150℃
输入电容:260pF@10V
类型:N沟道
阈值电压:1.3V@1mA
栅极电荷:2.8nC@4.5V
漏源电压:20V
连续漏极电流:3.5A
导通电阻:64mΩ@1.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: