采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR0202PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@5V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@200mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR0202PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@5V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@200mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR0202PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@5V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@200mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR0202PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@5V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@200mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR0202PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@5V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@200mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF0201NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF0201NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MVMBF0201NLT1G
功率：225mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR0202PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@5V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@200mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR0202PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@5V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@200mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF0201NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF0201NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF0201NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF0201NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF0201NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR0202PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@5V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@200mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF0201NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR0202PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@5V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@200mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR0202PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@5V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@200mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR0202PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@5V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@200mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR0202PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@5V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@200mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MVMBF0201NLT1G
功率：225mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MVMBF0201NLT1G
功率：225mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MVMBF0201NLT1G
功率：225mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR0202PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@5V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@200mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR0202PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@5V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@200mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF0201NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MVMBF0201NLT1G
功率：225mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF0201NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF0201NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
