品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4508NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:75mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":1993,"10+":414,"13+":60,"21+":94}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4508NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:75mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.13W
阈值电压:1.2V @ 250µA
栅极电荷:4nC @ 4.5V
输入电容:180pF @ 10V
连续漏极电流:3A
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:75 毫欧 @ 3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4508NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:75mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.13W
阈值电压:1.2V @ 250µA
栅极电荷:4nC @ 4.5V
输入电容:180pF @ 10V
连续漏极电流:3A
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:75 毫欧 @ 3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4508NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:75mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4508NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:75mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":1993,"10+":414,"13+":60}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4508NT1G
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.13W
阈值电压:1.2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC @ 4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF @ 10V
连续漏极电流:3A
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:75 毫欧 @ 3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4508NT1G
阈值电压:1.2V@250µA
输入电容:180pF@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:75mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
功率:1.13W
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:3A
包装清单:商品主体 * 1
库存: