品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4N02FT1
工作温度:-55℃~150℃
功率:910mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":903,"06+":222917,"08+":7649,"09+":6000,"9999":750}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4N02FT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:910mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":903,"06+":222917,"08+":7649,"09+":6000,"9999":750}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4N02FT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:910mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4N02FT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:910mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: