品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC510P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:41W€2.3W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:116nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.86nF@10V
连续漏极电流:12A€18A
类型:1个P沟道
导通电阻:8mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC510P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:41W€2.3W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:116nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.86nF@10V
连续漏极电流:12A€18A
类型:1个P沟道
导通电阻:8mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC510P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:41W€2.3W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:116nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.86nF@10V
连续漏极电流:12A€18A
类型:1个P沟道
导通电阻:8mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC510P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:41W€2.3W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:116nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.86nF@10V
连续漏极电流:12A€18A
类型:1个P沟道
导通电阻:8mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":17,"22+":18406}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC510P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:41W€2.3W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.86nF@10V
连续漏极电流:12A€18A
类型:1个P沟道
导通电阻:8mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":17,"22+":18406}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC510P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:41W€2.3W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.86nF@10V
连续漏极电流:12A€18A
类型:1个P沟道
导通电阻:8mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":17,"22+":18406}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC510P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:41W€2.3W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.86nF@10V
连续漏极电流:12A€18A
类型:1个P沟道
导通电阻:8mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":17,"22+":18406}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC510P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:41W€2.3W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.86nF@10V
连续漏极电流:12A€18A
类型:1个P沟道
导通电阻:8mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC510P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:41W€2.3W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:116nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.86nF@10V
连续漏极电流:12A€18A
类型:1个P沟道
导通电阻:8mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC510P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:41W€2.3W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:116nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.86nF@10V
连续漏极电流:12A€18A
类型:1个P沟道
导通电阻:8mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC510P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:41W€2.3W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:116nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.86nF@10V
连续漏极电流:12A€18A
类型:1个P沟道
导通电阻:8mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC510P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:41W€2.3W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:116nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.86nF@10V
连续漏极电流:12A€18A
类型:1个P沟道
导通电阻:8mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC510P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:41W€2.3W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:116nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.86nF@10V
连续漏极电流:12A€18A
类型:1个P沟道
导通电阻:8mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC510P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:41W€2.3W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:116nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.86nF@10V
连续漏极电流:12A€18A
类型:1个P沟道
导通电阻:8mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC510P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:41W€2.3W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:116nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.86nF@10V
连续漏极电流:12A€18A
类型:1个P沟道
导通电阻:8mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC510P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:41W€2.3W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:116nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.86nF@10V
连续漏极电流:12A€18A
类型:1个P沟道
导通电阻:8mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC510P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:41W€2.3W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:116nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.86nF@10V
连续漏极电流:12A€18A
类型:1个P沟道
导通电阻:8mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC510P
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.86nF@10V
栅极电荷:116nC@4.5V
导通电阻:8mΩ@12A,4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
功率:41W€2.3W
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
类型:1个P沟道
连续漏极电流:12A€18A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC510P
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.86nF@10V
栅极电荷:116nC@4.5V
导通电阻:8mΩ@12A,4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
功率:41W€2.3W
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
类型:1个P沟道
连续漏极电流:12A€18A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC510P
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.86nF@10V
栅极电荷:116nC@4.5V
导通电阻:8mΩ@12A,4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
功率:41W€2.3W
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
类型:1个P沟道
连续漏极电流:12A€18A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC510P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:41W€2.3W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:116nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.86nF@10V
连续漏极电流:12A€18A
类型:1个P沟道
导通电阻:8mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC510P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:41W€2.3W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:116nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.86nF@10V
连续漏极电流:12A€18A
类型:1个P沟道
导通电阻:8mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: