品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS10P02R2G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:14mΩ@10A,4.5V
输入电容:3640pF@16V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:70nC@4.5V
连续漏极电流:8.8A
类型:P沟道
漏源电压:20V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC638APZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:12nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:1000pF@10V
漏源电压:20V
功率:1.6W
导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:18+
规格型号(MPN):FDC640P
阈值电压:1.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:13nC@4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:890pF@10V
漏源电压:20V
功率:1.6W
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC637AN
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1125pF@10V
连续漏极电流:6.2A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:1.6W
栅极电荷:16nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC638APZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:12nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:1000pF@10V
漏源电压:20V
功率:1.6W
导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC637AN
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1125pF@10V
连续漏极电流:6.2A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:1.6W
栅极电荷:16nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"14+":730000,"17+":124000,"19+":205000}
规格型号(MPN):EFC6605R-V-TR
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
工作温度:150℃
阈值电压:1.3V@1mA
类型:2个N沟道
漏源电压:20V
功率:1.6W
导通电阻:13.3mΩ@3A,4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC608PZ
栅极电荷:23nC@4.5V
连续漏极电流:5.8A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:30mΩ@5.8A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1330pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:1.6W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":3000,"23+":6000}
规格型号(MPN):FDC642P
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:925pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:65mΩ@4A,4.5V
功率:1.6W
栅极电荷:16nC@4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC638P
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:48mΩ@4.5A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:14nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:1.6W
输入电容:1160pF@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC608PZ
栅极电荷:23nC@4.5V
连续漏极电流:5.8A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:30mΩ@5.8A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1330pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC638P
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:48mΩ@4.5A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:14nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:1.6W
输入电容:1160pF@10V
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS10P02R2G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:14mΩ@10A,4.5V
输入电容:3640pF@16V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:70nC@4.5V
连续漏极电流:8.8A
类型:P沟道
漏源电压:20V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC608PZ
栅极电荷:23nC@4.5V
连续漏极电流:5.8A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:30mΩ@5.8A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1330pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:1.6W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS10P02R2G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:14mΩ@10A,4.5V
输入电容:3640pF@16V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:70nC@4.5V
连续漏极电流:8.8A
类型:P沟道
漏源电压:20V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC634P
阈值电压:1.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
导通电阻:80mΩ@3.5A,4.5V
栅极电荷:10nC@4.5V
功率:1.6W
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
输入电容:779pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC638P
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:48mΩ@4.5A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:14nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:1.6W
输入电容:1160pF@10V
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC640P
阈值电压:1.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:13nC@4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:890pF@10V
漏源电压:20V
功率:1.6W
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC642P
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:925pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:65mΩ@4A,4.5V
功率:1.6W
栅极电荷:16nC@4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC634P
阈值电压:1.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
导通电阻:80mΩ@3.5A,4.5V
栅极电荷:10nC@4.5V
功率:1.6W
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
输入电容:779pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC608PZ
栅极电荷:23nC@4.5V
连续漏极电流:5.8A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:30mΩ@5.8A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1330pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC637AN
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1125pF@10V
连续漏极电流:6.2A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:1.6W
栅极电荷:16nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC602P
阈值电压:1.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:35mΩ@4.5V,5.5A
漏源电压:20V
功率:1.6W
类型:1个P沟道
连续漏极电流:5.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC638APZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:12nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:1000pF@10V
漏源电压:20V
功率:1.6W
导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC634P
阈值电压:1.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
导通电阻:80mΩ@3.5A,4.5V
栅极电荷:10nC@4.5V
功率:1.6W
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
输入电容:779pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC637AN
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1125pF@10V
连续漏极电流:6.2A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:1.6W
栅极电荷:16nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS10P02R2G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:14mΩ@10A,4.5V
输入电容:3640pF@16V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:70nC@4.5V
连续漏极电流:8.8A
类型:P沟道
漏源电压:20V
功率:1.6W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC642P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:925pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC6605R-V-TR
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:2个N沟道
导通电阻:13.3mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":730000,"17+":124000,"19+":205000}
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC6605R-V-TR
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:2个N沟道
导通电阻:13.3mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: