采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGD3133PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：145mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGD3133PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：145mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTGD3133PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：145mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTGD3133PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：145mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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