品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR3C21NZT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1540pF@16V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:17.8nC@4.5V
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输入电容:1540pF@16V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
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漏源电压:20V
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输入电容:1540pF@16V
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类型:N沟道
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阈值电压:1V@250µA
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功率:470mW
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功率:470mW
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR3C21NZT1G
功率:470mW
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销售单位:个
规格型号(MPN):NTR3C21NZT1G
功率:470mW
包装方式:卷带(TR)
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ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR3C21NZT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:17.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1540pF@16V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR3C21NZT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:17.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1540pF@16V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@5A,4.5V
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包装清单:商品主体 * 1
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