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    品牌: ON SEMI
    漏源电压: 20V
    功率: 710mW
    当前匹配商品:90+
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    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3119CTBG 起订9个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3119CTBG 起订9个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJD3119CTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:271pF@10V

    连续漏极电流:2.6A€2.3A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3115PT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3115PT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJD3115PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:531pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF3117PT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF3117PT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJF3117PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:531pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF3117PT1G 起订9个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF3117PT1G 起订9个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJF3117PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:531pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3183CZTBG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3183CZTBG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":75062}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJD3183CZTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:355pF@10V

    连续漏极电流:2.6A€2.2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:68mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3115PT1G 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3115PT1G 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJD3115PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:531pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3119CTBG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3119CTBG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJD3119CTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:271pF@10V

    连续漏极电流:2.6A€2.3A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3119CTBG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3119CTBG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJD3119CTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:271pF@10V

    连续漏极电流:2.6A€2.3A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF3117PT1G 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF3117PT1G 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJF3117PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:531pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF3117PT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF3117PT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJF3117PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:531pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF3117PT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF3117PT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJF3117PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:531pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF3117PT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF3117PT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJF3117PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:531pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF3117PT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF3117PT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJF3117PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:531pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF3117PT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF3117PT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJF3117PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:531pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF3117PT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF3117PT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJF3117PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:531pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF3117PT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF3117PT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJF3117PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:531pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3119CTBG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3119CTBG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJD3119CTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:271pF@10V

    连续漏极电流:2.6A€2.3A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3115PTAG 起订1886个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3115PTAG 起订1886个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJD3115PTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:531pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3181PZTAG 起订1457个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3181PZTAG 起订1457个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJD3181PZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3119CTBG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3119CTBG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJD3119CTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:271pF@10V

    连续漏极电流:2.6A€2.3A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF3117PT1G 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF3117PT1G 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJF3117PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:531pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF3117PT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF3117PT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJF3117PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:531pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3183CZTAG 起订1687个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3183CZTAG 起订1687个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJD3183CZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:355pF@10V

    连续漏极电流:2.6A€2.2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:68mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3115PT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3115PT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJD3115PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:531pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3115PT1G 起订1439个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3115PT1G 起订1439个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJD3115PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:531pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3183CZTAG 起订1687个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3183CZTAG 起订1687个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":165,"09+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJD3183CZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:355pF@10V

    连续漏极电流:2.6A€2.2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:68mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3183CZTBG 起订1781个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3183CZTBG 起订1781个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":75062}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJD3183CZTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:355pF@10V

    连续漏极电流:2.6A€2.2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:68mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3181PZTAG 起订1457个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3181PZTAG 起订1457个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":54000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJD3181PZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTMSD2P102LR2G 起订1781个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMSD2P102LR2G 起订1781个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":7500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMSD2P102LR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@16V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3115PTAG 起订1886个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3115PTAG 起订1886个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":4058}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJD3115PTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:531pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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