品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDFMA2N028Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDFMA2N028Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDFMA2N028Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDFMA2N028Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDFMA2P853
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:435pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDFMA2P853
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:435pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDFMA2P853
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:435pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUD3A50PZTAG
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.6A
类型:2个P沟道
导通电阻:50mΩ@4.5V,4A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUD3A50PZTAG
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.6A
类型:2个P沟道
导通电阻:50mΩ@4.5V,4A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: