采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME820NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME820NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：FDME510PZT
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功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
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功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
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输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：FDME820NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：FDME820NZT
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功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：FDME820NZT
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功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
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ECCN：EAR99
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输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，4.5V
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连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，4.5V
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输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
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漏源电压：20V
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输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
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规格型号(MPN)：FDME510PZT
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功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：FDME510PZT
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功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDME820NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDME820NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
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输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDME820NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
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输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME820NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：37mΩ@6A，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
输入电容：1490pF@10V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
连续漏极电流：6A
栅极电荷：22nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME820NZT
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
栅极电荷：8.5nC@4.5V
类型：N沟道
输入电容：865pF@10V
阈值电压：1V@250µA
连续漏极电流：9A
导通电阻：18mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME820NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
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输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME820NZT
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
栅极电荷：8.5nC@4.5V
类型：N沟道
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阈值电压：1V@250µA
连续漏极电流：9A
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漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME820NZT
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
栅极电荷：8.5nC@4.5V
类型：N沟道
输入电容：865pF@10V
阈值电压：1V@250µA
连续漏极电流：9A
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漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME820NZT
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
栅极电荷：8.5nC@4.5V
类型：N沟道
输入电容：865pF@10V
阈值电压：1V@250µA
连续漏极电流：9A
导通电阻：18mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：586}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME910PZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2110pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME820NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME820NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：586}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME910PZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2110pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
