品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":20,"23+":1900}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY2000PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:350mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.2Ω@350mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY2000PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:350mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.2Ω@350mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY2000PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:350mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.2Ω@350mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY3000NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY3000NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:20+
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY3000NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY3000NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY3000NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:446mW
阈值电压:1.3V@250μA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:2个N沟道
导通电阻:700mΩ@4.5V,600mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY1002PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:446mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: