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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：2125，"10+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS5P02R2SG
工作温度：-55℃~150℃
功率：790mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@16V
连续漏极电流：3.95A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@5.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS5P02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：790mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@16V
连续漏极电流：3.95A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@5.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：4295，"13+"：20679，"16+"：0，"17+"：0，"18+"：0，"22+"：0，"23+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS5P02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：790mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@16V
连续漏极电流：3.95A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@5.4A，4.5V
漏源电压：20V
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生产批次：{"06+"：2125，"10+"：5000}
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规格型号(MPN)：NTMS5P02R2SG
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功率：790mW
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类型：P沟道
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类型：P沟道
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功率：790mW
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：3.95A
类型：P沟道
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阈值电压：1.25V@250µA
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连续漏极电流：3.95A
类型：P沟道
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类型：P沟道
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类型：P沟道
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输入电容：1900pF@16V
连续漏极电流：3.95A
类型：P沟道
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包装方式：卷带（TR）
功率：790mW
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类型：P沟道
栅极电荷：35nC@4.5V
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ECCN：EAR99
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