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    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G 起订1575个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G 起订1575个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":25455,"20+":1633,"23+":24000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA910PZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA910PZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA910PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2805pF@10V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订58个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订58个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:301mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:156pF@5V

    连续漏极电流:760mA

    类型:P沟道

    导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订65个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订65个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:301mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:156pF@5V

    连续漏极电流:760mA

    类型:P沟道

    导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA507PZ 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA507PZ 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA507PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:42nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2015pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:24mΩ@7.8A,5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3113PTAG 起订1952个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3113PTAG 起订1952个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":56140}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS3113PTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1329pF@16V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS7D2P02P8ZTAG 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS7D2P02P8ZTAG 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS7D2P02P8ZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2790pF@10V

    连续漏极电流:7.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:9mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN304PZ 起订11个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN304PZ 起订11个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN304PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1G 起订19个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1G 起订19个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZS3151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:458pF@16V

    连续漏极电流:860mA

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN340P 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN340P 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN340P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:779pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN302P 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN302P 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN302P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:882pF@10V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G 起订36个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G 起订36个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDZ661PZ 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDZ661PZ 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDZ661PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1G 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1G 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZS3151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:458pF@16V

    连续漏极电流:860mA

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR3A30PZT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR3A30PZT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR3A30PZT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1651pF@15V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTCG 起订1521个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTCG 起订1521个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":354,"22+":14000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTCG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2240pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9431A 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9431A 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS9431A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN342P 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN342P 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN342P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4101PT1G 起订5682个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4101PT1G 起订5682个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":588000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:329mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@20V

    连续漏极电流:1.37A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMS5P02R2G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMS5P02R2G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMS5P02R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@16V

    连续漏极电流:3.95A

    类型:P沟道

    导通电阻:33mΩ@5.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3443T1G 起订2154个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3443T1G 起订2154个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":2741}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3443T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:565pF@5V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441PT1G 起订3562个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441PT1G 起订3562个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":3000,"11+":1571}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3441PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@15V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA008P20LZ 起订1271个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA008P20LZ 起订1271个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":33000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA008P20LZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4383pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC642P 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC642P 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC642P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:925pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN308P 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN308P 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN308P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:341pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD3101FT1G 起订627个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD3101FT1G 起订627个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":685,"07+":255925,"08+":3250,"09+":47000,"10+":2212,"15+":79412,"16+":2400,"MI+":87000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD3101FT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441T1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441T1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3441T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@5V

    连续漏极电流:1.65A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A90PZTAG 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A90PZTAG 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A90PZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDC638APZ 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC638APZ 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC638APZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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