采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS332P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@4.5V，1.1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS332P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@4.5V，1.1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA291P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1nF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：42mΩ@6.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN327N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：423pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY100PZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN336P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：200mΩ@4.5V，1.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN336P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：200mΩ@4.5V，1.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN327N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：423pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA291P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1nF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：42mΩ@6.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN327N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：423pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA291P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1nF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：42mΩ@6.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5656，"MI+"：3558}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6576
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.044nF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5656，"MI+"：3558}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6576
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.044nF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
输入电容：113pF@10V
连续漏极电流：700mA€600mA
导通电阻：300mΩ@700mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN327N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：423pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC634P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：779pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS332P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@4.5V，1.1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA291P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1nF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：42mΩ@6.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY100PZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY100PZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS332P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@4.5V，1.1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS332P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@4.5V，1.1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN327N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：423pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
