品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGD3148NT1G
工作温度:-50℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:70mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NTGD3148NT1G
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功率:900mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:70mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NTGD3148NT1G
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功率:900mW
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输入电容:300pF@10V
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类型:2N沟道(双)
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分类:Mosfet场效应管
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功率:900mW
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输入电容:300pF@10V
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分类:Mosfet场效应管
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分类:Mosfet场效应管
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功率:900mW
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ECCN:EAR99
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工作温度:-50℃~150℃
功率:900mW
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工作温度:-50℃~150℃
功率:900mW
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ECCN:EAR99
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输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:3A
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规格型号(MPN):NTGD3148NT1G
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工作温度:-50℃~150℃
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
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销售单位:个
规格型号(MPN):NTGD3148NT1G
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功率:900mW
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分类:Mosfet场效应管
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销售单位:个
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功率:900mW
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规格型号(MPN):NTGD3148NT1G
工作温度:-50℃~150℃
功率:900mW
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ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
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类型:2N沟道(双)
导通电阻:70mΩ@3.5A,4.5V
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包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGD3148NT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-50℃~150℃
类型:2N沟道(双)
功率:900mW
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