采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75329D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75321D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：93W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75345S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：325W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：275nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@75A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75345S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：325W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：275nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@75A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75345S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：325W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：275nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@75A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75321D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：93W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75329D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75329D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75321D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：93W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75321D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：93W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75345S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：325W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：275nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@75A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75321D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：93W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4577，"23+"：1409}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUFA75307T3ST
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.6A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75329D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75345S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：325W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：275nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@75A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75321D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：93W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：10982}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75321D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：93W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：10982}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75321D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：93W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：10982}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75321D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：93W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75345S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：325W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：275nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@75A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4577，"23+"：1409}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUFA75307T3ST
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.6A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75329D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75321D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：93W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75321D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：93W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75321D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：93W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75321D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：93W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75321D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：93W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75321D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：93W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75329D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75321D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：93W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
