采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL080N120SC1A
工作温度：-55℃~175℃
功率：178W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L020N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：510W
阈值电压：4.3V@20mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2943pF@800V
连续漏极电流：102A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@60A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：348W
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1781pF@800V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL080N120SC1A
工作温度：-55℃~175℃
功率：178W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：40}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L020N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：510W
阈值电压：4.3V@20mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2943pF@800V
连续漏极电流：102A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@60A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1789pF@800V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG014N120M3P
工作温度：-55℃~175℃
功率：454W
阈值电压：4.63V@37mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：337nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6313pF@800V
连续漏极电流：104A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@74A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL080N120SC1A
工作温度：-55℃~175℃
功率：178W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG014N120M3P
工作温度：-55℃~175℃
功率：454W
阈值电压：4.63V@37mA
栅极电荷：337nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6313pF@800V
连续漏极电流：104A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@74A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：12150}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG020N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€468W
阈值电压：4.3V@20mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2943pF@800V
连续漏极电流：8.6A€98A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@60A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG014N120M3P
工作温度：-55℃~175℃
功率：454W
阈值电压：4.63V@37mA
栅极电荷：337nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6313pF@800V
连续漏极电流：104A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@74A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：348W
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1781pF@800V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L014N120M3P
工作温度：-55℃~175℃
功率：686W
阈值电压：4.63V@37mA
栅极电荷：329nC@18V
包装方式：管件
输入电容：6230pF@800V
连续漏极电流：127A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@74A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：329}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL080N120SC1A
工作温度：-55℃~175℃
功率：178W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：28psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXH010P120MNF1PNG
工作温度：-40℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4.3V@40mA
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：4707pF@800V
连续漏极电流：114A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@100A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：319W
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1762pF@800V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：28}
包装规格(MPQ)：28psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXH010P120MNF1PNG
工作温度：-40℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4.3V@40mA
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：4707pF@800V
连续漏极电流：114A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@100A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG020N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€468W
阈值电压：4.3V@20mA
栅极电荷：220nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2943pF@800V
连续漏极电流：8.6A€98A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@60A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1789pF@800V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：14，"22+"：42}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1789pF@800V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：329}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：28psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXH010P120MNF1PTNG
工作温度：-40℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4.3V@40mA
包装方式：托盘
输入电容：4707pF@800V
连续漏极电流：114A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@100A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：18，"22+"：2165，"23+"：37800，"MI+"：1350}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL080N120SC1
工作温度：-55℃~150℃
功率：348W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：200}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL080N120SC1
工作温度：-55℃~150℃
功率：348W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
