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    品牌: ON SEMI
    漏源电压: 1200V
    包装方式: 管件
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:300+
    商品信息
    参数
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    onsemi Mosfet场效应管 NTHL080N120SC1A 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL080N120SC1A 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL080N120SC1A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:178W

    阈值电压:4.3V@5mA

    栅极电荷:56nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1670pF@800V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@20A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L020N120SC1 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L020N120SC1 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L020N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:510W

    阈值电压:4.3V@20mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:220nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:2943pF@800V

    连续漏极电流:102A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@60A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVHL040N120SC1 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVHL040N120SC1 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVHL040N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:348W

    栅极电荷:106nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1781pF@800V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@35A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVHL080N120SC1A 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVHL080N120SC1A 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVHL080N120SC1A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:178W

    阈值电压:4.3V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1670pF@800V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@20A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L020N120SC1 起订14个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L020N120SC1 起订14个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":40}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L020N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:510W

    阈值电压:4.3V@20mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:220nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:2943pF@800V

    连续漏极电流:102A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@60A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L022N120M3S 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L022N120M3S 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L022N120M3S

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    功率:352W

    阈值电压:4.4V@20mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:151nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:3175pF@800V

    连续漏极电流:68A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@40A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVHL080N120SC1A 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVHL080N120SC1A 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVHL080N120SC1A

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    功率:178W

    阈值电压:4.3V@5mA

    栅极电荷:56nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1670pF@800V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@20A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120M3S 起订40个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120M3S 起订40个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":12150}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L040N120M3S

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:231W

    阈值电压:4.4V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:1700pF@800V

    连续漏极电流:54A

    类型:N沟道

    导通电阻:54mΩ@20A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL040N120SC1 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL040N120SC1 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL040N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:348W

    栅极电荷:106nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1781pF@800V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@35A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L014N120M3P 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L014N120M3P 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L014N120M3P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:686W

    阈值电压:4.63V@37mA

    栅极电荷:329nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:6230pF@800V

    连续漏极电流:127A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@74A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVH4L022N120M3S 起订19个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVH4L022N120M3S 起订19个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":329}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVH4L022N120M3S

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:352W

    阈值电压:4.4V@20mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:151nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:3175pF@800V

    连续漏极电流:68A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@40A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L022N120M3S 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L022N120M3S 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L022N120M3S

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:352W

    阈值电压:4.4V@20mA

    栅极电荷:151nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:3175pF@800V

    连续漏极电流:68A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@40A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL080N120SC1A 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL080N120SC1A 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL080N120SC1A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:178W

    阈值电压:4.3V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1670pF@800V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@20A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVH4L040N120SC1 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVH4L040N120SC1 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVH4L040N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:319W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1762pF@800V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@35A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVH4L040N120M3S 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVH4L040N120M3S 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVH4L040N120M3S

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:231W

    阈值电压:4.4V@10mA

    栅极电荷:75nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:1700pF@800V

    连续漏极电流:54A

    类型:N沟道

    导通电阻:54mΩ@20A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVH4L022N120M3S 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVH4L022N120M3S 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":329}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVH4L022N120M3S

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:352W

    阈值电压:4.4V@20mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:151nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:3175pF@800V

    连续漏极电流:68A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@40A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL080N120SC1 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL080N120SC1 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":18,"22+":2165,"23+":37800,"MI+":1350}

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL080N120SC1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:348W

    阈值电压:4.3V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1670pF@800V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@20A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL080N120SC1 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL080N120SC1 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":200}

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL080N120SC1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:348W

    阈值电压:4.3V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1670pF@800V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@20A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L020N120SC1 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L020N120SC1 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L020N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:510W

    阈值电压:4.3V@20mA

    栅极电荷:220nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:2943pF@800V

    连续漏极电流:102A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@60A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120M3S 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120M3S 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":12150}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L040N120M3S

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:231W

    阈值电压:4.4V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:1700pF@800V

    连续漏极电流:54A

    类型:N沟道

    导通电阻:54mΩ@20A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVHL080N120SC1A 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVHL080N120SC1A 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVHL080N120SC1A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:178W

    阈值电压:4.3V@5mA

    栅极电荷:56nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1670pF@800V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@20A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVHL080N120SC1 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVHL080N120SC1 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4500,"23+":3750}

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVHL080N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:348W

    阈值电压:4.3V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1670pF@800V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@20A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL160N120SC1 起订120个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL160N120SC1 起订120个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL160N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:119W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:665pF@800V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:224mΩ@12A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L022N120M3S 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L022N120M3S 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L022N120M3S

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:352W

    阈值电压:4.4V@20mA

    栅极电荷:151nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:3175pF@800V

    连续漏极电流:68A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@40A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L080N120SC1 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L080N120SC1 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L080N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:4.3V@5mA

    栅极电荷:56nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1670pF@800V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@20A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL080N120SC1 起订20个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL080N120SC1 起订20个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":200}

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL080N120SC1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:348W

    阈值电压:4.3V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1670pF@800V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@20A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L080N120SC1 起订250个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L080N120SC1 起订250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L080N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:4.3V@5mA

    栅极电荷:56nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1670pF@800V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@20A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120SC1 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120SC1 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L040N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:319W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1762pF@800V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@35A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVHL040N120SC1 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVHL040N120SC1 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVHL040N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:348W

    栅极电荷:106nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1781pF@800V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@35A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L022N120M3S 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L022N120M3S 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L022N120M3S

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:352W

    阈值电压:4.4V@20mA

    栅极电荷:151nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:3175pF@800V

    连续漏极电流:68A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@40A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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