品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":323}
规格型号(MPN):FDBL0240N100
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8755pF@50V
栅极电荷:111nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:210A
导通电阻:2.8mΩ@80A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
功率:3.5W€300W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":860}
销售单位:个
包装规格(MPQ):489psc
规格型号(MPN):FQPF19N10
导通电阻:100mΩ@6.8A,10V
类型:N沟道
栅极电荷:25nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:780pF@25V
连续漏极电流:13.6A
功率:38W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86160ET100
输入电容:1290pF@50V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:14mΩ@9A,10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€65W
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:9A€43A
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB3632
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:9mΩ@80A,10V
类型:N沟道
输入电容:6000pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
连续漏极电流:12A€80A
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS040N10MCLT1G
功率:3.5W€36W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.5A€21A
类型:N沟道
栅极电荷:8.3nC@10V
导通电阻:38mΩ@5A,10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3V@26µA
输入电容:500pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS7D8N10GTWG
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
输入电容:6180pF@50V
连续漏极电流:14A€110A
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€187W
栅极电荷:92nC@10V
阈值电压:4V@254µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
导通电阻:7.6mΩ@48A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS7D8N10GTWG
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
输入电容:6180pF@50V
连续漏极电流:14A€110A
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€187W
栅极电荷:92nC@10V
阈值电压:4V@254µA
漏源电压:100V
导通电阻:7.6mΩ@48A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF4D5N10C
阈值电压:4V@310µA
输入电容:5065pF@50V
类型:N沟道
栅极电荷:68nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
功率:2.4W€37.5W
连续漏极电流:128A
漏源电压:100V
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):NTB6410ANT4G
功率:188W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
连续漏极电流:76A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:13mΩ@76A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:4500pF@25V
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDPF045N10A
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
栅极电荷:74nC@10V
导通电阻:4.5mΩ@67A,10V
输入电容:5270pF@50V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
功率:43W
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB3632
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:9mΩ@80A,10V
类型:N沟道
输入电容:6000pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
连续漏极电流:12A€80A
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS040N10MCLT1G
功率:3.5W€36W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.5A€21A
类型:N沟道
栅极电荷:8.3nC@10V
导通电阻:38mΩ@5A,10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3V@26µA
输入电容:500pF@50V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFWS015N10MCLT1G
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
输入电容:1338pF@50V
栅极电荷:19nC@10V
功率:3W€79W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:12.2mΩ@14A,10V
阈值电压:3V@77µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
连续漏极电流:10.5A€54A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP4D5N10C
功率:2.4W€150W
阈值电压:4V@310µA
输入电容:5065pF@50V
类型:N沟道
栅极电荷:68nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
连续漏极电流:128A
漏源电压:100V
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTSC002N10MCTXG
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:4V@520µA
功率:9W€255W
类型:N沟道
连续漏极电流:45A€236A
导通电阻:2mΩ@90A,10V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:89nC@10V
ECCN:EAR99
输入电容:6305pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD6824NLT4G-VF01
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3468pF@25V
导通电阻:20mΩ@20A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€90W
连续漏极电流:8.5A€41A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB3682
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:28nC@10V
功率:95W
类型:N沟道
输入电容:1250pF@25V
连续漏极电流:6A€32A
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:36mΩ@32A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS040N10MCLT1G
功率:3.5W€36W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.5A€21A
类型:N沟道
栅极电荷:8.3nC@10V
导通电阻:38mΩ@5A,10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3V@26µA
输入电容:500pF@50V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS040N10MCLT1G
功率:3.5W€36W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.5A€21A
类型:N沟道
栅极电荷:8.3nC@10V
导通电阻:38mΩ@5A,10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3V@26µA
输入电容:500pF@50V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB86135
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
连续漏极电流:75A
输入电容:7295pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€227W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:3.5mΩ@75A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
栅极电荷:116nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB0260N1007L
输入电容:8545pF@50V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:118nC@10V
功率:3.8W€250W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:2.6mΩ@27A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):NTB6412ANT4G
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:167W
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:58A
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:18.2mΩ@58A,10V
输入电容:3500pF@25V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS1D6N10MCTXG
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:106nC@10V
输入电容:7630pF@50V
类型:N沟道
功率:5W€291W
阈值电压:4V@650µA
导通电阻:1.7mΩ@90A,10V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
连续漏极电流:36A€273A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF2D3N10C
栅极电荷:152nC@10V
功率:45W
连续漏极电流:222A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
输入电容:11180pF@50V
阈值电压:4V@700µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6415ANLT4G
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:52mΩ@10A,10V
类型:N沟道
输入电容:1024pF@25V
连续漏极电流:23A
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3682
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:28nC@10V
功率:95W
连续漏极电流:5.5A€32A
类型:N沟道
输入电容:1250pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:36mΩ@32A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):HUF75645P3
输入电容:3790pF@25V
类型:N沟道
连续漏极电流:75A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:14mΩ@75A,10V
功率:310W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:238nC@20V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP150N10A-F102
导通电阻:15mΩ@50A,10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:21nC@10V
连续漏极电流:50A
输入电容:1440pF@50V
功率:91W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639G3
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
包装方式:管件
栅极电荷:130nC@20V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:25mΩ@56A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"10+":50,"13+":700,"14+":4125,"18+":125,"19+":244,"22+":52,"9999":150,"MI+":1700}
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):NTP6412ANG
栅极电荷:100nC@10V
功率:167W
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:58A
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:18.2mΩ@58A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:3500pF@25V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: