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    品牌: ON SEMI
    漏源电压: 100V
    行业应用: 汽车
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    当前匹配商品:900+
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    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0240N100 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0240N100 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"21+":323}

    规格型号(MPN):FDBL0240N100

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8755pF@50V

    栅极电荷:111nC@10V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:210A

    导通电阻:2.8mΩ@80A,10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    功率:3.5W€300W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF19N10 起订589个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF19N10 起订589个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":860}

    销售单位:

    包装规格(MPQ):489psc

    规格型号(MPN):FQPF19N10

    导通电阻:100mΩ@6.8A,10V

    类型:N沟道

    栅极电荷:25nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:13.6A

    功率:38W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86160ET100 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86160ET100 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86160ET100

    输入电容:1290pF@50V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:14mΩ@9A,10V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W€65W

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:9A€43A

    栅极电荷:22nC@10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):FDB3632

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:9mΩ@80A,10V

    类型:N沟道

    输入电容:6000pF@25V

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    连续漏极电流:12A€80A

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS040N10MCLT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS040N10MCLT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS040N10MCLT1G

    功率:3.5W€36W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.5A€21A

    类型:N沟道

    栅极电荷:8.3nC@10V

    导通电阻:38mΩ@5A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:3V@26µA

    输入电容:500pF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS7D8N10GTWG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS7D8N10GTWG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS7D8N10GTWG

    包装方式:卷带(TR)

    类型:N沟道

    输入电容:6180pF@50V

    连续漏极电流:14A€110A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€187W

    栅极电荷:92nC@10V

    阈值电压:4V@254µA

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    导通电阻:7.6mΩ@48A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS7D8N10GTWG 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS7D8N10GTWG 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS7D8N10GTWG

    包装方式:卷带(TR)

    类型:N沟道

    输入电容:6180pF@50V

    连续漏极电流:14A€110A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€187W

    栅极电荷:92nC@10V

    阈值电压:4V@254µA

    漏源电压:100V

    导通电阻:7.6mΩ@48A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF4D5N10C 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF4D5N10C 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF4D5N10C

    阈值电压:4V@310µA

    输入电容:5065pF@50V

    类型:N沟道

    栅极电荷:68nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:管件

    功率:2.4W€37.5W

    连续漏极电流:128A

    漏源电压:100V

    导通电阻:4.5mΩ@100A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6410ANT4G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6410ANT4G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):NTB6410ANT4G

    功率:188W

    包装方式:卷带(TR)

    类型:N沟道

    连续漏极电流:76A

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:13mΩ@76A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:4500pF@25V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF045N10A 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF045N10A 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):FDPF045N10A

    连续漏极电流:67A

    类型:N沟道

    栅极电荷:74nC@10V

    导通电阻:4.5mΩ@67A,10V

    输入电容:5270pF@50V

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    功率:43W

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):FDB3632

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:9mΩ@80A,10V

    类型:N沟道

    输入电容:6000pF@25V

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    连续漏极电流:12A€80A

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS040N10MCLT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS040N10MCLT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS040N10MCLT1G

    功率:3.5W€36W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.5A€21A

    类型:N沟道

    栅极电荷:8.3nC@10V

    导通电阻:38mΩ@5A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:3V@26µA

    输入电容:500pF@50V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFWS015N10MCLT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFWS015N10MCLT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFWS015N10MCLT1G

    包装方式:卷带(TR)

    类型:N沟道

    输入电容:1338pF@50V

    栅极电荷:19nC@10V

    功率:3W€79W

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:12.2mΩ@14A,10V

    阈值电压:3V@77µA

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    连续漏极电流:10.5A€54A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP4D5N10C 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP4D5N10C 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):FDP4D5N10C

    功率:2.4W€150W

    阈值电压:4V@310µA

    输入电容:5065pF@50V

    类型:N沟道

    栅极电荷:68nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:管件

    连续漏极电流:128A

    漏源电压:100V

    导通电阻:4.5mΩ@100A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTSC002N10MCTXG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTSC002N10MCTXG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMTSC002N10MCTXG

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:4V@520µA

    功率:9W€255W

    类型:N沟道

    连续漏极电流:45A€236A

    导通电阻:2mΩ@90A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:89nC@10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:6305pF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6824NLT4G-VF01 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6824NLT4G-VF01 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD6824NLT4G-VF01

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3468pF@25V

    导通电阻:20mΩ@20A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:66nC@10V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€90W

    连续漏极电流:8.5A€41A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3682 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3682 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):FDB3682

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:28nC@10V

    功率:95W

    类型:N沟道

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:6A€32A

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:36mΩ@32A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS040N10MCLT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS040N10MCLT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS040N10MCLT1G

    功率:3.5W€36W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.5A€21A

    类型:N沟道

    栅极电荷:8.3nC@10V

    导通电阻:38mΩ@5A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:3V@26µA

    输入电容:500pF@50V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS040N10MCLT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS040N10MCLT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS040N10MCLT1G

    功率:3.5W€36W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.5A€21A

    类型:N沟道

    栅极电荷:8.3nC@10V

    导通电阻:38mΩ@5A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:3V@26µA

    输入电容:500pF@50V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86135 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86135 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):FDB86135

    包装方式:卷带(TR)

    类型:N沟道

    连续漏极电流:75A

    输入电容:7295pF@25V

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€227W

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:3.5mΩ@75A,10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    栅极电荷:116nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0260N1007L 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0260N1007L 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):FDB0260N1007L

    输入电容:8545pF@50V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:118nC@10V

    功率:3.8W€250W

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:2.6mΩ@27A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANT4G 起订246个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANT4G 起订246个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):NTB6412ANT4G

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:167W

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:58A

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    输入电容:3500pF@25V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS1D6N10MCTXG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS1D6N10MCTXG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS1D6N10MCTXG

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:106nC@10V

    输入电容:7630pF@50V

    类型:N沟道

    功率:5W€291W

    阈值电压:4V@650µA

    导通电阻:1.7mΩ@90A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    连续漏极电流:36A€273A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF2D3N10C 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF2D3N10C 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF2D3N10C

    栅极电荷:152nC@10V

    功率:45W

    连续漏极电流:222A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@100A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:管件

    输入电容:11180pF@50V

    阈值电压:4V@700µA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415ANLT4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415ANLT4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD6415ANLT4G

    功率:83W

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:52mΩ@10A,10V

    类型:N沟道

    输入电容:1024pF@25V

    连续漏极电流:23A

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3682 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3682 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3682

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:28nC@10V

    功率:95W

    连续漏极电流:5.5A€32A

    类型:N沟道

    输入电容:1250pF@25V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:36mΩ@32A,10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75645P3 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75645P3 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):HUF75645P3

    输入电容:3790pF@25V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:75A

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:14mΩ@75A,10V

    功率:310W

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:238nC@20V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP150N10A-F102 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP150N10A-F102 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):FDP150N10A-F102

    导通电阻:15mΩ@50A,10V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:21nC@10V

    连续漏极电流:50A

    输入电容:1440pF@50V

    功率:91W

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75639G3 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75639G3 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75639G3

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    包装方式:管件

    栅极电荷:130nC@20V

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:25mΩ@56A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6412ANG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6412ANG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"10+":50,"13+":700,"14+":4125,"18+":125,"19+":244,"22+":52,"9999":150,"MI+":1700}

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):NTP6412ANG

    栅极电荷:100nC@10V

    功率:167W

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:58A

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:3500pF@25V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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