品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB035N10A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W
阈值电压:4V
栅极电荷:89nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:214A
类型:MOSFET
导通电阻:3mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS3D2N10MDT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:155W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:142A
类型:MOSFET
导通电阻:3.5mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB035N10A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W
阈值电压:4V
栅极电荷:89nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:214A
类型:MOSFET
导通电阻:3mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
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规格型号(MPN):FDB035N10A
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功率:333W
阈值电压:4V
栅极电荷:89nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:214A
类型:MOSFET
导通电阻:3mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
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规格型号(MPN):FDB035N10A
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功率:333W
阈值电压:4V
栅极电荷:89nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:214A
类型:MOSFET
导通电阻:3mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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包装规格(MPQ):1500psc
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规格型号(MPN):NTMFS3D2N10MDT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:155W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:142A
类型:MOSFET
导通电阻:3.5mΩ
漏源电压:100V
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行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
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规格型号(MPN):FDB035N10A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W
阈值电压:4V
栅极电荷:89nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:214A
类型:MOSFET
导通电阻:3mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):FDB035N10A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W
阈值电压:4V
栅极电荷:89nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:214A
类型:MOSFET
导通电阻:3mΩ
漏源电压:100V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDB035N10A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W
阈值电压:4V
栅极电荷:89nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:214A
类型:MOSFET
导通电阻:3mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB035N10A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W
阈值电压:4V
栅极电荷:89nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:214A
类型:MOSFET
导通电阻:3mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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