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    品牌: ON SEMI
    漏源电压: 100V
    阈值电压: 2V@250µA
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:100+
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    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415ANLT4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415ANLT4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD6415ANLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1024pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6495NLT4G-VF01 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6495NLT4G-VF01 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1024pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT7N10LTF 起订4000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT7N10LTF 起订4000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT7N10LTF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@850mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD19N10LTM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD19N10LTM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD19N10LTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@25V

    连续漏极电流:15.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD19N10LTM 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD19N10LTM 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD19N10LTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@25V

    连续漏极电流:15.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6495NLT4G-VF01 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6495NLT4G-VF01 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1024pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT7N10LTF 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT7N10LTF 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT7N10LTF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@850mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT7N10LTF 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT7N10LTF 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT7N10LTF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@850mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT7N10LTF 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT7N10LTF 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT7N10LTF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@850mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT7N10LTF 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT7N10LTF 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT7N10LTF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@850mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT7N10LTF 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT7N10LTF 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT7N10LTF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@850mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT7N10LTF 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT7N10LTF 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT7N10LTF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@850mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6495NLT4G-VF01 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6495NLT4G-VF01 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1024pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415ANLT4G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415ANLT4G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD6415ANLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1024pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6495NLT4G-VF01 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6495NLT4G-VF01 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1024pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415ANLT4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415ANLT4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD6415ANLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1024pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT7N10LTF 起订12000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT7N10LTF 起订12000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT7N10LTF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@850mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6600N-1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6600N-1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":1425}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD6600N-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.28W€56.6W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:146mΩ@6A,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT7N10LTF 起订8000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT7N10LTF 起订8000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT7N10LTF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@850mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT7N10LTF 起订250个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT7N10LTF 起订250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT7N10LTF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@850mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT7N10LTF 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT7N10LTF 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT7N10LTF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@850mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT7N10LTF 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT7N10LTF 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT7N10LTF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@850mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415ANLT4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415ANLT4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD6415ANLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1024pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT7N10LTF 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT7N10LTF 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT7N10LTF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@850mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD19N10LTM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD19N10LTM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD19N10LTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@25V

    连续漏极电流:15.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6495NLT4G-VF01 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6495NLT4G-VF01 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":523,"23+":7500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1024pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT7N10LTF 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT7N10LTF 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT7N10LTF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@850mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT7N10LTF 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT7N10LTF 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT7N10LTF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@850mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT7N10LTF 起订4000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT7N10LTF 起订4000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT7N10LTF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@850mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT7N10LTF 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT7N10LTF 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT7N10LTF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@850mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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