采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3672-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：7.2A€44A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3860
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€69W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1740pF@50V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3860
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€69W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1740pF@50V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：FDD3860
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功率：3.1W€69W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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阈值电压：4.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1740pF@50V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
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连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：FDD3860
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功率：3.1W€69W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1740pF@50V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD3860
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阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDB3672-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：7.2A€44A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€69W
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输入电容：1740pF@50V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD3860
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€69W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1740pF@50V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD3860
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€69W
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连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2380}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3860
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€69W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
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连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
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连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
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工作温度：-55℃~150℃
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连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
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类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD3860
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€69W
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类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD3860
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€69W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1740pF@50V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2380}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3860
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€69W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
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输入电容：1740pF@50V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD3860
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€69W
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：FDD3860
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€69W
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类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDB3672-F085
包装方式：卷带（TR）
功率：120W
导通电阻：28mΩ@44A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：7.2A€44A
工作温度：-55℃~175℃
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3860
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包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€69W
类型：N沟道
连续漏极电流：6.2A
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ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3860
阈值电压：4.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€69W
类型：N沟道
连续漏极电流：6.2A
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3860
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€69W
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类型：N沟道
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漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3860
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€69W
阈值电压：4.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1740pF@50V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3860
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€69W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1740pF@50V
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类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3860
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€69W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1740pF@50V
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类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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