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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2680pF@50V
连续漏极电流：7.4A€22A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2680pF@50V
连续漏极电流：7.4A€22A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：92500，"17+"：12}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6B05NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€138W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@50V
连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：721}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3707-1E
工作温度：150℃
功率：2W€25W
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@20V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2699，"22+"：2692，"MI+"：2941}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3135pF@50V
连续漏极电流：14.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@14.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3135pF@50V
连续漏极电流：14.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@14.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2680pF@50V
连续漏极电流：7.4A€22A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2699，"22+"：2692，"MI+"：2941}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3135pF@50V
连续漏极电流：14.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@14.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2680pF@50V
连续漏极电流：7.4A€22A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3135pF@50V
连续漏极电流：14.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@14.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3135pF@50V
连续漏极电流：14.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@14.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：721}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3707-1E
工作温度：150℃
功率：2W€25W
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@20V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：163717，"23+"：30000，"MI+"：14500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3135pF@50V
连续漏极电流：14.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@14.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3135pF@50V
连续漏极电流：14.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@14.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3135pF@50V
连续漏极电流：14.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@14.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2680pF@50V
连续漏极电流：7.4A€22A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3707-1E
工作温度：150℃
功率：2W€25W
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@20V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3135pF@50V
连续漏极电流：14.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@14.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3135pF@50V
连续漏极电流：14.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@14.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2680pF@50V
连续漏极电流：7.4A€22A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：92500，"17+"：12}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6B05NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€138W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@50V
连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3135pF@50V
连续漏极电流：14.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@14.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2699，"22+"：2692，"MI+"：2941}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3135pF@50V
连续漏极电流：14.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@14.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：163717，"23+"：30000，"MI+"：14500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3135pF@50V
连续漏极电流：14.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@14.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3135pF@50V
连续漏极电流：14.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@14.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2699，"22+"：2692，"MI+"：2941}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3135pF@50V
连续漏极电流：14.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@14.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：92500，"17+"：12}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6B05NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€138W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@50V
连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：92500，"17+"：12}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6B05NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€138W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@50V
连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3135pF@50V
连续漏极电流：14.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@14.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3135pF@50V
连续漏极电流：14.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@14.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
