品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0200N100
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9760pF@50V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0200N100
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9760pF@50V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0200N100
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9760pF@50V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0200N100
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9760pF@50V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0200N100
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9760pF@50V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0200N100
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9760pF@50V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0200N100
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9760pF@50V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0200N100
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9760pF@50V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0200N100
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9760pF@50V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0200N100
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9760pF@50V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0200N100
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
功率:429W
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:9760pF@50V
ECCN:EAR99
栅极电荷:133nC@10V
漏源电压:100V
导通电阻:2mΩ@80A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0200N100
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9760pF@50V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0200N100
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9760pF@50V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: